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三星: 16合1 三星电子宣布芯片堆叠新方案技术 |
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作者：第三媒体
来源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-11-02
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[摘要]
今年四月份，三星电子宣布一项芯片3D封装技术，那时候，三星的WSP最多可以使8个芯片上下堆叠。 |
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[正文]
今年四月份，三星电子宣布一项芯片3D封装技术，那时候，三星的WSP最多可以使8个芯片上下堆叠。而现在三星又在芯片堆叠上做出了突破，可以将16个存储芯片堆叠在一起。为了达到这个目的，他们采用了新的晶圆减薄和芯片切割技术。
在这个16合1的处理过程中，三星使用的新的晶圆减薄技术，能将晶圆厚度减少到4%，经过处理的晶圆总厚度仅有30微米左右。同三星05年发布的10芯片封装包晶圆相比，厚度仅为65%，接近人类的一个细胞的厚度（20-30微米）。
在芯片切割方面，三星也采用了新的激光切割技术，这项技术能防止通常方法中容易出现的芯片碎裂情况，这项技术最初设计用来切割80微米级的晶圆。
成品以Z字形方式堆叠，粘合剂的厚度也被减小到20微米，所以整个16-die芯片保厚度仅为1.44毫米。新的堆叠工艺可以使单个多芯片封装的容量达到16GB，三星称这是芯片发展史上的最高密度。 (2006-11-02)
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