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三星闪存: 三星high-k工艺NAND闪存进军40nm工艺
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[新闻图片]三星闪存: 三星high-k工艺NAND闪存进军40nm工艺
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三星今天宣布了全球首款采用40nm、high-k工艺生产的NAND闪存芯片,容量达32Gb。 三星表示,新的芯片可以用来制造64GB容量的SD卡或CF卡,足以存储64小时的DVD分辨率电影(40部)或者1.6万首MP3歌曲(1340小时)。 三星的这种芯片使用了一种名为“Charge ...
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